涉非法轉移半導體技術 比利時拘留中國籍高層

（綜合中央社、聯合報等2家媒體報導）

比利時檢方7日證實，一名52歲、具中國與比利時雙重國籍的男子，自今年5月起因涉嫌半導體技術間諜活動遭審前羈押。

該男子曾在比利時晶片製造商Belgan擔任高層。Belgan專門生產氮化鎵（GaN）半導體，已於2024年7月宣告破產。檢方懷疑，他在Belgan任職期間，同時在一家生產同類晶片的中國企業擔任董事；該中國公司在他加入Belgan僅數月後成立，並由中國投資基金出資。

檢方指控他涉嫌將氮化鎵晶片相關的智慧財產權與商業機密非法轉移至國外。此類晶片可應用於電動車、航太及軍事領域。

該男子定居比利時，5月在布魯塞爾札范登機場（Zaventem）準備搭機前往北京時遭逮捕。檢方表示，他目前仍遭羈押，另有一名嫌犯尚未落網。中國駐比利時大使館目前未對此事件置評。